主要特性

　　高導熱性：銅的加入顯著提升導熱能力（≈180-220 W/m·K），適合散熱應用。

　　低熱膨脹系數(shù)（CTE）：鉬的CTE（≈5.0×10??/K）與許多陶瓷、半導體材料匹配，減少熱應力。

　　較高熔點：鉬熔點（2623°C）雖低于鎢，但仍適合高溫環(huán)境（如真空電子器件）。

　　良好機械強度：比純銅更耐高溫變形，抗電弧侵蝕。

　　易加工性：鉬的硬度低于鎢，更易切削、鉆孔或線切割。

　　典型應用

　　電子封裝：

　　散熱基板（如功率半導體、射頻器件）。

　　熱沉材料（激光二極管、微波管）。

　　航空航天：火箭噴嘴襯套、高溫結構件。

　　軍工領域：高功率電子設備的導電散熱部件。

　　工業(yè)模具：需要快速冷卻的注塑或壓鑄模具鑲件。

　　常見成分與性能對比

　　成分比例密度(g/cm3)熱導率(W/m·K)熱膨脹系數(shù)(×10??/K)典型用途

　　Mo60Cu40~9.8 180-200~7.0電子封裝

　　Mo50Cu50~9.3 200-220~8.5散熱部件

　　Mo30Cu70~8.5 220-250~10.0高導熱需求場景

　　注：鉬含量越高，熱膨脹系數(shù)越低，但導熱性略降；銅含量越高，導熱性增強，但高溫強度降低。

　　制備工藝

　　粉末冶金法（主流方法）：

　　混合鉬粉與銅粉（或采用鉬骨架滲銅工藝）。

　　壓制成型（冷等靜壓、模壓）。

　　高溫燒結（氫氣保護，銅液相燒結）。

　　3D打印：適用于復雜結構，但成本較高。